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| 扩散炉型等离子化学蒸汽淀积系统生长氮化硅膜的研究 | |
| 引用本文： | 王季陶 ,王焕杰 ,连美华 ,倪卫新 ,张世理.扩散炉型等离子化学蒸汽淀积系统生长氮化硅膜的研究[J].复旦学报(自然科学版),1983(4). |
| 作者姓名： | 王季陶 王焕杰 连美华 倪卫新 张世理 |
| 摘 要： | 为了进一步提高半导体器件的合格率和可靠性,集成电路管芯的表面钝化处理已成为半导体器件工作的重要课题之一. 由于铝硅合金最低共熔温度的限制,器件的表面最终钝化膜应在低温下淀积(<450℃).这就使得一些优质钝化材料,如阻挡可动离子沾污和抗湿气能力很强的高温GVD氮化硅,因淀积温度过高(700～900℃)而无法用于管芯蒸铝后的钝化工作中.为了 |
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