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| 使用200MeV电子束及其轫致辐射的实验条件研究 | |
| 引用本文： | 陈文明,远杨.使用200MeV电子束及其轫致辐射的实验条件研究[J].中国科学技术大学学报,1999,29(3):289-294. |
| 作者姓名： | 陈文明 远杨 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学应用化学系 |
| 摘 要： | 用光核反应产生的１１Ｃ和１８Ｆ作为指示剂，从实验上确定２００ＭｅＶ电子束轫致辐射的最佳转换靶（钨片）厚度为４．２ｍｍ（１８Ｆ）或５．２ｍｍ（１１Ｃ），角分布半宽度为３°．研究了在转换靶与样品靶相对距离改变时该轫致辐射在辐照室不同高度处光通量的变化，并指出利用它们开展凝聚态物理和辐射化学研究时应注意辐射热、样品的辐射变色和被活化等有关问题 |
| 关 键 词： | 200MeV电子束，轫致辐射，强辐射极端条件，高剂量率辐射化学，光核反应 |
Experimental Condition Study for Using 200MeV Electron Beam and Its Bremsstrahlung |
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| CHEN Wenming,YUAN Yang,YAN Lifeng,LI Xiqing.Experimental Condition Study for Using 200MeV Electron Beam and Its Bremsstrahlung[J].Journal of University of Science and Technology of China,1999,29(3):289-294. | |
| Authors: | CHEN Wenming YUAN Yang YAN Lifeng LI Xiqing |
| Abstract: | |
| Keywords: | MeV electron beam bremsstrahlung special irradiation condition high dose rate radiation chemistry photonuclear reaction |
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