| 苯热合成法制备强紫外光致发光a—SiOxCyHZ膜 |
| |
| 引用本文： | 李明 傅正平. 苯热合成法制备强紫外光致发光a—SiOxCyHZ膜[J]. 中国科学技术大学学报, 1999, 29(6): 730-734 |
| |
| 作者姓名： | 李明 傅正平 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学结构分析开放实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!（69876033） |
| |
| 摘 要： | 用苯热合成法分别在２００ ℃、３００ ℃、４００ ℃下制得非晶ＳｉＯｘＣｙＨｚ 膜，在室温下观测到强的紫外光致发光，典型样品的发光强度可与多孔硅相比．实验中发现不同温度下生长的样品，其发光谱中均存在３４０ ｎｍ 发光峰，在４００ ℃生长的样品的发光谱中还出现了３８０ ｎｍ 的伴峰．对Ｘ射线衍射谱，Ｆｏｕｒｉｅｒ 变换红外吸收谱，Ｘ 射线光电子能谱，光致发光谱，及光致发光激发谱的分析表明，３４０ ｎｍ 的发光来源于氧化硅中的缺陷，而３８０ ｎｍ 的发光峰可能与材料中的ＳｉＣ和ＳｉＳｉ 键有关．
|
| 关 键 词： | 苯热合成法 紫外光致发光 SiO_xC_yH_z膜 |
Preparation of a SiO_xC_yH_z ultraviolet emitting films by benzene thermal synthesis method |
| |
| LI Ming FU Zhengping YANG Beifang CHEN Hailing LIU Ruchuan RUAN Yaozhong. Preparation of a SiO_xC_yH_z ultraviolet emitting films by benzene thermal synthesis method[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 1999, 29(6): 730-734 |
| |
| Authors: | LI Ming FU Zhengping YANG Beifang CHEN Hailing LIU Ruchuan RUAN Yaozhong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Benzene thermal technique ultraviolet photoluminescence SiO xC yH z films |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
