| 非对称型门极换流晶闸管阻断特性的设计与优化 |
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| 引用本文： | 王彩琳,高勇,张新. 非对称型门极换流晶闸管阻断特性的设计与优化[J]. 西安理工大学学报, 2005, 21(2): 129-133 |
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| 作者姓名： | 王彩琳 高勇 张新 |
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| 作者单位： | 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅专项科研计划资助项目(04JK245 |
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| 摘 要： | 分析了非对称型门极换流晶闸管(GCT)的结构和工作原理,提出了阻断特性的设计方法,并依此建立了非对称型GCT的结构模型;利用MEDICI软件对其正向IV特性和电场分布进行了模拟,分析了穿通型耐压结构的击穿机理,证实了设计的合理性;另外通过对GCT结构参数的优化,指出当n缓冲层的浓度为5×1016cm-3时,可获得比较理想的阻断特性。
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| 关 键 词： | 电力半导体器件 门极换流晶闸管 门极可关断晶闸管 穿通击穿 电场分布 |
| 文章编号： | 1006-4710(2005)02-0129-05 |
| 修稿时间： | 2004-11-23 |
Design and Optimization of Blocking Characteristic of Asymmetry Gate Commutated Thyristors |
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| Wang Cai-Lin,GAO Yong,ZHANG Xin. Design and Optimization of Blocking Characteristic of Asymmetry Gate Commutated Thyristors[J]. Journal of Xi'an University of Technology, 2005, 21(2): 129-133 |
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| Authors: | Wang Cai-Lin GAO Yong ZHANG Xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power semiconductor devices gate commutated thyristor(GCT) gate turn-off thyristor(GTO) punch-through electric field distribution |
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