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锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究
引用本文:熊四辈 吴小清. 锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究[J]. 西安交通大学学报, 1996, 30(4): 60-65
作者姓名:熊四辈 吴小清
摘    要:致密、纯钙钛矿结构的PZT(50/50)铁电薄膜已用MOD工艺(金属有机物热分解工艺)获得.通过优化原料的提纯和合成工艺,消除了原料中微量杂质离子,控制PZT先体溶液合成时的环境温度,制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液.采用多次甩胶成膜法,经400~500℃热处理,在Pt/SiO2/Si衬底上制得PZT(50/50)薄膜,膜厚520nm,其介电常数为270,损耗角正切为0.035(1kHz,0.05V测试电压),其绝缘电阻率为10~100TΩ·cm,剩余极化强度为20.6μC/cm2,饱和极化强度为27.7μC/cm2,矫顽场强为80kV/cm

关 键 词:MOD工艺 锆钛酸铅 铁电薄膜 钙钛矿结构

PREPARATION AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS DERIVED BY MOD TECHNIQUE
Xiong Sibei Wu Xiaoqing Zhang Lianying Yzo Xi. PREPARATION AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS DERIVED BY MOD TECHNIQUE[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 1996, 30(4): 60-65
Authors:Xiong Sibei Wu Xiaoqing Zhang Lianying Yzo Xi
Affiliation:School of Electronic and Information Engineering
Abstract:
Keywords:MOD technique lead zirconate titanate ferroelectric thin film perovskite  
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