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| 温度对1.3μmInGaAsP半导体激光器增益特性的影响 | |
| 作者姓名： | 郝素君 陆怡斌 |
| 作者单位： | “区域光纤通信网与新型光通信系统”国家重点实验室光纤技术研究所 |
| 摘 要： | 使用计算机控制的测量系统，测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的自发发射光谱，计算了增益谱，同时研究了最大增益与环境温度的依赖关系。利用实验结果对Ｌａｓｈｅｒ和Ｓｔｅｒｎ的简化分析模型作了拟合处理，得到发射复合系数与温度的依赖关系。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 自发发射光谱 增益 温度 |
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