| 低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析 |
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| 作者姓名： | 王士伟 严阳阳 程志强 陈淑芬 |
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| 作者单位： | 北京理工大学光电学院,北京,100081;北京理工大学光电学院,北京,100081;北京理工大学光电学院,北京,100081;北京理工大学光电学院,北京,100081 |
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| 基金项目： | 国家自然科研基金资助项目（61404008,61574016）;"111"引智计划资助项目（B14010）;北京理工大学基础研究基金资助项目（20130542015） |
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| 摘 要： | 针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO2厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO2厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法.
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| 关 键 词： | 三维集成电路 硅通孔 低阻硅 热膨胀 |
| 收稿时间： | 2016-09-13 |
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