| 掺杂硫化铅体系的电子性质研究 |
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| 引用本文： | 刘鹏, 李炜*, 马娟娟. 掺杂硫化铅体系的电子性质研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2015, 47(1): 26-31. DOI: 10.6054/j.jscnun.2014.11.011 |
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| 作者姓名： | 刘鹏 李炜 马娟娟 |
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| 作者单位： | 1.(华南师范大学物理与电信工程学院,量子信息技术实验室,广州 510006) |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论和广义梯度近似,对掺杂PbS体系进行了电子性质的第一性原理计算. 首先,对恒定掺杂浓度(6.25%)时3种替换杂质(Cd、Sn、Sb)不同掺杂位置的形成能进行比较分析,得到了最稳定的掺杂结构. 然后,计算不同掺杂体系的能带结构,能带结构发生了平移,带隙随掺杂原子序数单调递减. 最后,研究掺杂前后光学性质,光学性质的显著变化出现在Sb掺杂的PbS体系中,主要包括介电光谱下杂质峰的出现、相关红移现象以及掺杂后吸收谱能带边缘的拓展. 同时,Cd掺杂PbS介电光谱的反射峰最小.
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| 关 键 词： | 掺杂PbS 形成能 能带结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2014-06-13 |
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