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| 哑铃形氧化硅磨粒的制备及其化学机械抛光性能 | |
| 作者姓名： | 董越 雷红 刘文庆 |
| 作者单位： | 1. 上海大学理学院纳米科学与技术研究中心;2. 上海大学材料科学与工程学院材料研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51975343); |
| 摘 要： | 通过阴离子诱导辅助生长法制备哑铃形氧化硅磨粒,并对哑铃形氧化硅磨粒进行表征,研究该磨粒对氧化锆陶瓷化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)性能的影响.实验结果表明:哑铃形氧化硅磨粒稳定性好、分散性好,具有优异的化学机械抛光性能.与球形氧化硅磨粒相比,用哑铃形氧化硅磨粒对氧化锆陶瓷抛光时,材料去除率提高39%,抛光后陶瓷表面平整光滑,表面粗糙度为1.960 nm.这是因为哑铃形氧化硅磨粒抛光液润湿性好,可以与氧化锆陶瓷表面充分接触,有利于固相化学反应的发生.此外,哑铃形氧化硅磨粒的摩擦系数更大,这使得机械效应显著增强. |
| 关 键 词： | 化学机械抛光 氧化锆陶瓷 哑铃形氧化硅磨粒 材料去除率 表面质量 |