| 固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率 |
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| 引用本文： | 昝祥,陈治明,马剑平,封先锋,蒲红斌.固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率[J].西安理工大学学报,2003,19(2):120-123. |
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| 作者姓名： | 昝祥 陈治明 马剑平 封先锋 蒲红斌 |
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| 作者单位： | 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048 |
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| 摘 要： | 碳化硅粉末经压制成型后，在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品。用紫外激光对样品激发，样品的光致发光谱在低温下在2．02eV位置出现一发光主峰，在2．13eV位置出现一微弱肩峰；在室温下发光峰位置有所蓝移。样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升，随着成型压力的升高而降低。发光来自缺陷态。
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| 关 键 词： | 多孔碳化硅 烧结 光致发光 电阻率 |
| 文章编号： | 1006-4710(2003)02-0120-04 |
| 修稿时间： | 2002年12月19 |
Photoluminescence and Electrical Resistivity of Solid-Sintered Porous SiC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous SiC sintering photoluminescence electrical resistivity |
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