| 一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源 |
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| 引用本文： | 何捷,朱臻,王涛,李梦雄,洪志良. 一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源[J]. 复旦学报(自然科学版), 2001, 40(1): 86-90 |
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| 作者姓名： | 何捷 朱臻 王涛 李梦雄 洪志良 |
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| 作者单位： | 复旦大学 电子工程系, |
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| 摘 要： | 介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .
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| 关 键 词： | 带隙基准源 温度补偿 温度系数 电源抑制比 集成电路 |
| 文章编号： | 0427-7104(2001)01-0086-05 |
A Bandgap Reference with Temperature Compensation and Improved PSRR |
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| HE Jie,ZHU Zhen,WANG Tao,LI Men-xiong,HONG Zhi-liang. A Bandgap Reference with Temperature Compensation and Improved PSRR[J]. Journal of Fudan University(Natural Science), 2001, 40(1): 86-90 |
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| Authors: | HE Jie ZHU Zhen WANG Tao LI Men-xiong HONG Zhi-liang |
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| Abstract: | A bandgap reference is presented. It can work in input voltage of 3.3 V with 0.3 5 μm N-well CMOS technology. Simulation with Spectres and HSpice shows that th is bandgap reference can operate with temperature coefficient 6×10-6/K an d PSRR 2.2 mV/V. |
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