β-FeSi2半导体薄膜的研究进展 |
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作者姓名: | 周幼华 童恒明 乔燕 |
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作者单位: | 江汉大学,物理与信息工程学院,武汉,430056;武汉市东西湖区教育局,武汉,430040 |
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基金项目: | 自然科学基金(10604018),高等学校博士学科点专项科研基金(20060487006) |
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摘 要: | 综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.
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关 键 词: | β-FeSi2 半导体薄膜 Si基发光 |
文章编号: | 1673-0143(2007)02-0026-04 |
修稿时间: | 2007-01-16 |
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