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β-FeSi2半导体薄膜的研究进展
作者姓名:周幼华  童恒明  乔燕
作者单位:江汉大学,物理与信息工程学院,武汉,430056;武汉市东西湖区教育局,武汉,430040
基金项目:自然科学基金(10604018),高等学校博士学科点专项科研基金(20060487006)
摘    要:综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.

关 键 词:β-FeSi2  半导体薄膜  Si基发光
文章编号:1673-0143(2007)02-0026-04
修稿时间:2007-01-16
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