| Pb（Cd_（1／2）Te_（1／2））O_3及三元系压电陶瓷Pb（Cd_（1／ |
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| 引用本文： | 戚凭,陈沙鸥. Pb（Cd_（1／2）Te_（1／2））O_3及三元系压电陶瓷Pb（Cd_（1／[J]. 青岛大学学报(自然科学版), 1995, 0(1) |
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| 作者姓名： | 戚凭 陈沙鸥 |
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| 作者单位： | 青岛大学物论系 |
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| 摘 要： | 研制了一种新的三元系统压电陶瓷材料Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，本系统材料压电性强，时间稳定性极佳，其时间稳定性比改性的ＰＣＭ提高一个数量级，作者认为稳定性的提高原因，不是由于材料的“软化”，而在于Ｔｅ６＋离子在电畴界面的偏聚对畴壁的“钉扎”作用，确定了Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３是顺电相其含量以４～６ｍｏｌ％为宜，部分Ｃｄ２－取代，使本系统材料“硬化”．
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| 关 键 词： | 压电陶瓷；电畴 |
Pb(Cd_(1/2)Te_(1/2))O_3 AND TRIAD PIZOELECTRICCERAMIC Ph (Cd_(1/2)Te_(1/2))O+3-PbZ_rO_3-PbTiO_3 |
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| Qi Ping Chen Shaou. Pb(Cd_(1/2)Te_(1/2))O_3 AND TRIAD PIZOELECTRICCERAMIC Ph (Cd_(1/2)Te_(1/2))O+3-PbZ_rO_3-PbTiO_3[J]. Journal of Qingdao University(Natural Science Edition), 1995, 0(1) |
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| Authors: | Qi Ping Chen Shaou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pizoelectrical ceramic electrical domain |
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