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| NAND闪存编程干扰错误研究 | |
| 作者姓名： | 阳小珊 朱立谷 张猛 张伟 |
| 作者单位： | 中国传媒大学 理工学部计算机学院, 北京100024;中国电子科技集团公司第十五研究所 国家电子计算机质量监督检验中心, 北京100083;中国传媒大学 理工学部计算机学院,北京,100024;华中科技大学 武汉光电国家实验室,湖北武汉,430074;中国大唐集团科学技术研究院有限公司,北京,100040 |
| 基金项目： | 存储产业技术创新战略联盟共研项目 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | NAND闪存 3D-TLC 编程干扰错误 编程干扰错误率 |
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