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Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储
引用本文:李盼来,郭庆林,王志军,庞立斌,梁宝来.Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储[J].科学通报,2007,52(1):23-26.
作者姓名:李盼来  郭庆林  王志军  庞立斌  梁宝来
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
基金项目:河北省自然科学基金项目(批准号:F20060010023)资助
摘    要:采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响. 研究发现, 光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2; 对应相同的入射光强度, 光入射角θ 为15°时稳态光扇强度Ifsat最强. 研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响, 入射光调制抑制了光扇噪声对Ce:KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响, 使得再现图像质量得到了明显改善.

关 键 词:Ce:KNSBN晶体  光扇效应  阈值特性  图像存储
收稿时间:2006-09-28
修稿时间:2006-09-282006-11-27
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