| 退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响 |
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| 引用本文： | 黄小融,郑家贵.退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响[J].西南民族学院学报(自然科学版),1999,25(2):169-172. |
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| 作者姓名： | 黄小融 郑家贵 |
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| 作者单位： | 四川师范大学化学系，四川大学材料系 |
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| 摘 要： | 对不同温度下退火的ＣｄＳ多晶薄膜测量了暗电导率σｄ和暗电导－温度关系，发现未退火ＣｄＳ的暗电导率为１０－５Ω－１ｃｍ－１，经退火后σｄ增加，在２００℃退火σｄ有极大值．退火后电导激活能Ｅａ减小
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| 关 键 词： | CdS薄膜 退火 温度 电导率 |
Effect of Annealing on Electrical Properties of Cadmium Sulphide Polycrystalline Films |
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| HUANG Xiao rong ,ZHENG Jia gui ,LI Bing ,CAI Wei.Effect of Annealing on Electrical Properties of Cadmium Sulphide Polycrystalline Films[J].Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition),1999,25(2):169-172. |
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| Authors: | HUANG Xiao rong ZHENG Jia gui LI Bing CAI Wei |
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| Institution: | HUANG Xiao rong 1,ZHENG Jia gui 2,LI Bing 2,CAI Wei 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdS film annealing temperature conductivity |
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