|
|||||
|
|
| 太阳能单晶硅位错密度〈3000个/cm~2的检测方法研究 | |
| 引用本文： | 张学强,方丽霞,郭云鹏.太阳能单晶硅位错密度〈3000个/cm~2的检测方法研究[J].科技资讯,2014(35):75-75. |
| 作者姓名： | 张学强 方丽霞 郭云鹏 |
| 作者单位： | 洛阳中硅高科技有限公司;洛阳单晶硅有限责任公司; |
| 摘 要： | 该文在无位错单晶硅的检验检测方法GB/T1554-2009的基础上,结合太阳能单晶硅位错腐蚀坑的分布规律,通过实验总结分析,得出了针对太阳能单晶硅位错密度〈3000个/cm2比较合理的检验检测方法。 |
| 关 键 词： | 太阳能单晶硅位错密度 择优腐蚀 位错迁移理论 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |