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| 薄膜型InSb霍尔器件 | |
| 引用本文： | 胡明,刘志刚.薄膜型InSb霍尔器件[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1995,28(2):277-281. |
| 作者姓名： | 胡明 刘志刚 |
| 摘 要： | 利用真空蒸发镀膜技术研制出灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件，研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移率的因素，俄歇电子能谱分析和扫电镜形貌像表明，制备的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面光滑，晶粒尺寸μｍ级。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４００００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，ＩｎＳｂ薄膜霍尔器件输入输出电阻范围为２００－５００Ω，乘积灵敏度达到５０－１５０Ｖ／Ａ．Ｔ。 |
| 关 键 词： | 霍尔器件 薄膜 真空蒸发 电子迁移率 锑化铟 |
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