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掺杂对二氧化钒电学性能的影响
摘 要:
VO2是一种典型的相变型金属氧化物,相变温度为68℃,掺杂能有效地改变VO2的相变温度,且相变前后光、电性能变化幅度较大。该文采用水热法在制备的同时掺杂杂质离子制备VO2粉体,通过实验得出最优掺杂条件为:反应温度为180℃,反应时间为24 h,加入40%的HF体积比为1∶100,Ti4+离子掺杂量为4%,得到的VO2粉体相变温度为40℃,使VO2的相变温度降低了28℃。
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