| Ni_(1-x)Mn_xO稀磁半导体的磁性研究 |
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| 引用本文： | 王超,洪德雄,杨晓喻,方明亮,蔡亮,陈琳,闫文盛.Ni_(1-x)Mn_xO稀磁半导体的磁性研究[J].中国科学技术大学学报,2014(8):667-671. |
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| 作者姓名： | 王超 洪德雄 杨晓喻 方明亮 蔡亮 陈琳 闫文盛 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(U1332131)资助 |
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| 摘 要： | 通过X射线吸收近边结构(XANES)、超导量子干涉仪和第一性原理计算研究了脉冲激光沉积法(PLD)制备的Ni1-xMnxO(0.01≤x≤0.05)薄膜的微观结构和磁学性质.X射线吸收近边结构表明,当x≤0.03时,掺杂的Mn替代了NiO晶格中的Ni原子,并且以混合价态(+2/+3)的形式存在.当x0.03时,掺杂的部分Mn离子形成了类Mn2O3杂相.磁性测量表明,随着Mn含量从0.01增加到0.03,Ni1-xMnxO薄膜的饱和磁矩从0.3μB/Mn增加到了0.45μB/Mn.基于第一性原理计算,我们提出Mn3+离子之间通过Ni空位表现出了铁磁性耦合,Mn2+离子之间则通过超交换作用表现出了反铁磁耦合.
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| 关 键 词： | Mn掺杂NiO XAFS 室温铁磁性 |
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