合成温度对NASICON晶型结构和电导率的影响

在900℃和1 000℃下煅烧NASICON前驱粉,得到主相为Zr O2和主相为NASICON的两种粉体,对两种粉体采用热压烧结,分别在1 000℃和1 150℃得到致密且纯度高的NASICON样品,运用XRD,FESEM对样品进行了测试表征,研究了合成温度对NASICON室温下的晶体结构的影响。通过分析样品电导率的变化与纯度、致密度、晶粒生长和晶体结构的关系表明,900℃煅烧粉体热压烧结制备的NASICON样品的晶体结构随烧结温度的升高而改变,电导率在烧结温度1 000～1 200℃随着温度的升高先上升后下降,在1 100℃取得极大值7. 03×10-4S/cm。