| 大气环境中Al5052光谱发射率研究 |
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| 引用本文： | 张凯华,于坤,刘玉芳,王文宝.大气环境中Al5052光谱发射率研究[J].河南师范大学学报(自然科学版),2014(1). |
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| 作者姓名： | 张凯华 于坤 刘玉芳 王文宝 |
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| 作者单位： | 河南师范大学物理与电子工程学院;兴义民族师范学院物理系; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61127012;61307122);贵州省科学技术基金黔科合J字[2012]2325;黔西南州科技局科技计划2013-4 |
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| 摘 要： | 基于基尔霍夫定律,利用砷化镓(GaAs)半导体激光器作为标准光源设计了一种反射式光谱发射率测量装置.使用该装置在300K至873K之间对Al5052的光谱发射率进行了系统的研究,并利用最小二乘法对测量数据进行了线性拟合.研究结果表明:Al5052的光谱发射率随着温度的升高而缓慢增大.通过对673K,773K,823K,873K4个温度点持续5h的恒温测量发现:当温度小于823K时,Al5052的光谱发射率非常稳定,随着时间的增加基本保持不变;当温度大于823K时,在开始的2h内,光谱发射率随着时间的增加而增大.2h之后,由于表面氧化达到一定程度,光谱发射率数值开始趋于稳定.
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| 关 键 词： | Al 光谱发射率 温度 加热时间 |
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