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| 单根ZnO纳米线的光敏及场效应管性质研究 | |
| 引用本文： | 唐欣月,张锷,高红.单根ZnO纳米线的光敏及场效应管性质研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2014(3):66-68,84. |
| 作者姓名： | 唐欣月 张锷 高红 |
| 作者单位： | 哈尔滨师范大学; |
| 基金项目： | 黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目(12521z012) |
| 摘 要： | 采用化学气相沉积法合成了ZnO纳米线,并对其进行了扫描电镜以及光致发光表征.基于ZnO纳米线,采用微栅模板法制备了光电器件及背栅场效应晶体管.利用半导体参数测试仪测量了ZnO纳米线的I-V特性、光响应特征及场效应管的输出特性等.实验表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光敏感度,预示了良好的光电探测应用前景及FET的应用可能性. |
| 关 键 词： | ZnO 纳米线 光响应 场效应管 |
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