| P型ZnO：N薄膜的拉曼及光电特性研究 |
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| 作者姓名： | 李万俊 孔春阳 秦国平 阮海波 杨夭勇 孟祥丹 赵永红 粱薇薇 方亮 |
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| 作者单位： | [1]重庆市光电功能材料重点实验室,重庆401331 [2]重庆师范大学光学工程重点实验室,重庆401331 [3]重庆大学物理学院,重庆401331 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：11075314,50942021）重庆市自然科学基金（编号：2011BA4031）资助项目 |
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| 摘 要： | 采用电子柬蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜，以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜．借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO：N薄膜的拉曼及光电特性．结果表明：所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构，在ZnO：N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式（位于272．5，505．1和643．6cm-），分析表明N已掺入ZnO薄膜中；霍尔测试表明，通过适当退火处理后，ZnO：N薄膜向P型转变，其空穴浓度为7．73x10^17cm-3，迁移率为3．46cm2V-1s-1，电阻率为2．34Ωcm．然而，长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO：N薄膜的P型性能随时间并不稳定，结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO：N薄膜中存在残余压应力，同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷（N2）o是P型不稳定的根本原因．
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| 关 键 词： | 拉曼光谱 P型ZnO：N薄膜 稳定性 第一性原理 |
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