| 退火温度对氧化铝薄膜性质的影响 |
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| 引用本文： | 谭惠月,刘国侠,刘奥,单福凯. 退火温度对氧化铝薄膜性质的影响[J]. 青岛大学学报(自然科学版), 2015, 0(1): 3-6 |
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| 作者姓名： | 谭惠月 刘国侠 刘奥 单福凯 |
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| 作者单位： | 青岛大学物理科学学院;青岛大学纺织新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地 |
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| 摘 要： | <正>随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料(高k材料)可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,如高的介电常数
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶 氧化铝 薄膜 |
Effect of Annealing Temperature on Physical Properties of Solution-processed Aluminum Oxide Thin Films |
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| TAN Hui-yue;LIU Guo-xia;LIU Ao;SHAN Fu-kai. Effect of Annealing Temperature on Physical Properties of Solution-processed Aluminum Oxide Thin Films[J]. Journal of Qingdao University(Natural Science Edition), 2015, 0(1): 3-6 |
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| Authors: | TAN Hui-yue LIU Guo-xia LIU Ao SHAN Fu-kai |
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| Affiliation: | TAN Hui-yue;LIU Guo-xia;LIU Ao;SHAN Fu-kai;College of Physics Science,Qingdao University;Lab of New Fiber Materials and Modern Textile,Growing Base for State Key Laboratory,Qingdao University; |
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