a-Si:Hp-i-n型太阳能电池中的载流子俘获效应──a-Si:H太阳能电池稳定性研究 |
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作者姓名: | 林鸿生 |
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摘 要: | 本文基于我们的实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-Si:HP-i-n型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明,随着光辐照发生的载流子俘获所造成的a-Si:H中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区(低场“死层”)的出现。这是a-Si:Hp-i-n型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是,一条提高a-Si:H太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出。
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关 键 词: | 载流子俘获效应;a-Si:H太阳能电池光致性能衰退;Scharfetter-Gummel解法 |
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