| Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正 |
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| 引用本文： | 张晓青,夏钟福,潘永刚. Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正[J]. 同济大学学报(自然科学版), 2000, 0(5) |
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| 作者姓名： | 张晓青 夏钟福 潘永刚 |
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| 作者单位： | 同济大学波耳固体物理研究所!上海200092 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 ( 59682 0 0 3) |
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| 摘 要： | 采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 .
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| 关 键 词： | 化学表面修正 Si_3N_4 Si_3N_4/SiO_2 驻极体薄膜 电荷储存稳定性 |
Charge Storage Stability of Chemical Surface Modification Si_3N_4 and Si_3N_4/SiO_2 Electret Film Based on Silicon Substrate |
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| ZHANG Xiao-qing,XIA Zhong-fu,PAN Yong-gang. Charge Storage Stability of Chemical Surface Modification Si_3N_4 and Si_3N_4/SiO_2 Electret Film Based on Silicon Substrate[J]. Journal of Tongji University(Natural Science), 2000, 0(5) |
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| Authors: | ZHANG Xiao-qing XIA Zhong-fu PAN Yong-gang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical surface modification Si 3N 4 Si 3N 4/SiO 2 electret film charge storage stability |
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