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| 利用约束刻蚀剂层技术提高硅的化学刻蚀分辨率 | |
| 作者姓名： | 祖延兵 谢雷 田昭武 谢兆雄 穆纪千 毛秉伟 |
| 作者单位： | 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室!物理化学研究所化学系厦门361005，厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室!物理化学研究所化学系厦门361005，厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室!物理化学研究所化学系厦门361005，厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室!物理化 |
| 摘 要： | 高分辨率刻蚀技术对于微机械及微电子器件的加工具有十分重要的意义.虽然光刻技术仍处于主导地位,但近年来许多新颖的微加工方法相继问世.其中,扫描电化学显微镜(SECM)用于表面加工的研究颇受注目.SECM刻蚀的主要原理是,利用精密定位系统使微电极接近样品表面,微电极电生刻蚀剂,刻蚀剂扩散到样品表面发生刻蚀反应,产生刻蚀图样.SECM刻蚀分辨率主要取决于微电极的尺寸,但刻蚀剂的横向扩散往往会对SECM的分辨率产生较大影响最近,田昭武等人提出了一种可进行高分辨率微加工的新方法——约束刻蚀剂层技术(CELT).其主要思路是在溶液中加入可与电生刻蚀剂快速反应的“捕捉剂”,使刻蚀剂的寿命大幅度缩短,其扩散层急剧变薄,从而可使刻蚀反应具有高度的距离敏感性,刻蚀分辨率得到极大改善. |
| 关 键 词： | 硅 约束刻蚀剂层 刻蚀 分辨率 化学刻蚀 |
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