| 冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究 |
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| 引用本文： | 李寒松,丁玉成,王素琴,卢秉恒,刘红忠.冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究[J].西安交通大学学报,2003,37(7):750-753. |
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| 作者姓名： | 李寒松 丁玉成 王素琴 卢秉恒 刘红忠 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械工程学院,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”计划资助项目 (2 0 0 2AA42 0 0 50 )，国家自然科学基金资助项目 (50 2 751 1 8). |
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| 摘 要： | 在集成电路的冷压印光刻中，为了获得高分辨率抗蚀剂，着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料，从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分析和研究。经过对比，得出低粘度光固化树脂具有薄膜厚度容易控制且均匀(误差为O．3％)、固化速度快(小于O．2min)和固化收缩率小(3％)等特性，其对冷压印光刻工艺的匹配性明显优于溶剂挥发固化型和化学交联固化型材料。因此，最终决定采用低粘度光固化树脂作为冷压印光刻工艺中的抗蚀剂。
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| 关 键 词： | 集成电路 抗蚀剂 冷压印光刻 |
| 文章编号： | 0253-987X(2003)07-0750-04 |
| 修稿时间： | 2002年10月29 |
Investigation to Ultra-Resolution Resist in Room-Temperature Imprint Lithography |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | integrated circuit resist room-temperature imprint lithography |
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