| 真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 白翠琴,吴平,邱宏,马瑞新,王凤平,潘礼庆,田跃. 真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响[J]. 河北理工学院学报, 2004, 26(3): 87-89 |
| |
| 作者姓名： | 白翠琴 吴平 邱宏 马瑞新 王凤平 潘礼庆 田跃 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学应用科学学院 北京1000083(白翠琴，吴平，邱宏，王凤平，潘礼庆)，北京科技大学冶金学院 北京100083(马瑞新)，北京科技大学应用科学学院 北京1000083(田跃) |
| |
| 摘 要： | 用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响。CoFe薄膜在优于5 5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上。随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理。靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松。电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距。
|
| 关 键 词： | 真空退火处理 各向异性磁电阻 电子束蒸发 CoFe薄膜 粉末冶金 |
| 文章编号： | 1007-2829(2004)03-0087-03 |
| 修稿时间： | 2003-10-25 |
The effect of annealing on the structure and magnetoresistance of CoFe films |
| |
| BAM Cui-qin,WU Ping,QIU Hong,MA Rui-xin,EANG Feng-Ping,PAN Ii-ing,TIAN,Yue. The effect of annealing on the structure and magnetoresistance of CoFe films[J]. Journal of Hebei Institute of Technology, 2004, 26(3): 87-89 |
| |
| Authors: | BAM Cui-qin WU Ping QIU Hong MA Rui-xin EANG Feng-Ping PAN Ii-ing TIAN Yue |
| |
| Affiliation: | BAM Cui-qin~1,WU Ping~1,QIU Hong~1,MA Rui-xin~2,EANG Feng-Ping~1,PAN Ii-ing~1,TIAN,Yue~1 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CoFe film e-beam evaporation anisotropic magnetoresistance annealing |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
