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在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究
引用本文:胡海龙,彭尚龙,唐泽国,祁菁,贺德衍. 在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究[J]. 兰州大学学报(自然科学版), 2007, 43(1): 96-98
作者姓名:胡海龙  彭尚龙  唐泽国  祁菁  贺德衍
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州,730000
基金项目:国家自然科学基金,教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划
摘    要:用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AA0)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用x射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况.样品呈现出良好的场电子发射稳定性,开启电场为7 V/μm.

关 键 词:纳米晶Si  AAO衬底  PECVD
文章编号:0455-2059(2007)01-0096-03
修稿时间:2005-11-192006-04-12

Preparation of nano-crystalline Si arrays by plasma enhanced CVD using porous alumina templates
HU Hai-long,PENG Shang-long,TANG Ze-guo,QI Jing,HE De-yan. Preparation of nano-crystalline Si arrays by plasma enhanced CVD using porous alumina templates[J]. Journal of Lanzhou University(Natural Science), 2007, 43(1): 96-98
Authors:HU Hai-long  PENG Shang-long  TANG Ze-guo  QI Jing  HE De-yan
Affiliation:School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China
Abstract:
Keywords:PECVD
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