| 沉积氧压对RuVO2合金薄膜结构及MIT特性的影响研究 |
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| 引用本文： | 曹瑞琦,陆浩,陶欣,王歆茹,李派,卢寅梅,何云斌. 沉积氧压对RuVO2合金薄膜结构及MIT特性的影响研究[J]. 湖北大学学报(自然科学版), 2020, 42(3). DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2020.03.003 |
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| 作者姓名： | 曹瑞琦 陆浩 陶欣 王歆茹 李派 卢寅梅 何云斌 |
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| 作者单位： | 湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062,湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062,湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062,湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062,湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062,湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062,湖北大学材料科学与工程学院,超高真空表面分析实验室(湖北大学),湖北 武汉430062 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;湖北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本工作采用脉冲激光沉积法,以c-Al_2O_3为衬底,金属钌(Ru)镶嵌金属钒(V)圆片作为靶材,高纯氧气为反应气体,在不同沉积氧压下制备出一系列RuVO_2合金薄膜.采用XRD、XPS、紫外-可见-近红外光谱仪、四探针测试仪等表征了薄膜的结构、成分及光电性能.实验结果表明:在不同沉积氧压下,薄膜均沿(010)晶面高度取向生长,薄膜的摇摆曲线半高宽在0. 050°～0. 091°之间,薄膜具有良好的结晶质量.低氧压(1. 5 Pa)下制备的RuVO_2薄膜成分严重偏离化学计量比而含有大量O空位缺陷.随着沉积氧压增大,薄膜化学成分接近化学计量比2∶1;在大于2. 4 Pa氧压条件下制备的薄膜都表现出显著的MIT特性,薄膜相变温度在50～55℃之间,在相变前后电阻率发生3个数量级的突变,同时对红外光展现出良好的调制能力,最高可达17%.氧压太高将降低薄膜沉积速率而不利于薄膜生长.
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| 关 键 词： | RuVO2合金薄膜 金属-绝缘体相变 脉冲激光沉积法 智能窗涂层 |
Effect of deposition oxygen pressure on the structure and MIT characteristics of RuVO2 alloy thin films |
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| CAO Ruiqi,LU Hao,TAO Xin,WANG Xinru,LI Pai,LU Yinmei,HE Yunbin. Effect of deposition oxygen pressure on the structure and MIT characteristics of RuVO2 alloy thin films[J]. Journal of Hubei University(Natural Science Edition), 2020, 42(3). DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2020.03.003 |
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| Authors: | CAO Ruiqi LU Hao TAO Xin WANG Xinru LI Pai LU Yinmei HE Yunbin |
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