| Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质 |
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| 引用本文： | 甄聪棉,郭文哲,刘璐,田之雪,侯登录.Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质[J].河北师范大学学报(自然科学版),2020,44(4):302-307. |
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| 作者姓名： | 甄聪棉 郭文哲 刘璐 田之雪 侯登录 |
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| 作者单位： | 河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 050024;河北省新型薄膜材料实验室,河北 石家庄 050024,河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 050024;河北省新型薄膜材料实验室,河北 石家庄 050024,河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 050024;河北省新型薄膜材料实验室,河北 石家庄 050024,河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 050024;河北省新型薄膜材料实验室,河北 石家庄 050024,河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 050024;河北省新型薄膜材料实验室,河北 石家庄 050024 |
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| 基金项目： | 河北省高等学校自然科学重点项目;国家自然科学基金;河北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo_2O_4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.
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| 关 键 词： | NiCo2O4 外延薄膜 导电机制 变程跃迁 近程跃迁 |
Epitaxial Growth and Electrical Properties of the NiCo2 O4 Film on Si Substrate |
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| ZHEN Congmian,GUO Wenzhe,LIU Lu,TIAN Zhixue,HOU Denglu.Epitaxial Growth and Electrical Properties of the NiCo2 O4 Film on Si Substrate[J].Journal of Hebei Normal University,2020,44(4):302-307. |
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| Authors: | ZHEN Congmian GUO Wenzhe LIU Lu TIAN Zhixue HOU Denglu |
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