|
|||||
|
|
| c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质 | |
| 作者姓名： | 顾豪爽 李湘云 王世敏 包定华 李洪彬 邝安祥 ()李兴教 |
| 作者单位： | 湖北大学压电陶瓷技术研究所!武汉430062(顾豪爽，李湘云，王世敏，包定华，李洪彬，邝安祥)，华中理工大学固体电子学系!武(李兴教) |
| 基金项目： | 湖北省教育委员会重点资助项目 |
| 摘 要： | Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一. |
| 关 键 词： | Bi4Ti3O12 c轴取向 铁电薄膜 制备 光学性质 |
| 收稿时间： | 1995-01-12 |
| 修稿时间： | 1995-05-22 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载全文 | |