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| Er离子注入多孔硅的发光 | |
| 引用本文： | 李仪.Er离子注入多孔硅的发光[J].科学通报,1995,40(9):781-781. |
| 作者姓名： | 李仪 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 长春130021 (李仪，蒋红，周咏东，李菊生)，中国科学院长春物理研究所 长春130021(金亿鑫) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 硅是最重要的半导体材料,在微电子领域有着广泛的应用.室温下硅的禁带宽度为1.11 eV,相应的发光波长为1.14μm.在近红外波段,硅是间接带材料,发光效率很低,无法在光电子领域实际应用.近年来,人们用稀土离子Er掺入硅中,获得了Er~(3+)离子在1.54μm的近红外发光.这正是光纤传输的最低损耗波段.在掺Er的硅基材料上能否获得有实用功率的发光或激光器件,人们对此表现了极大兴趣.然而,理论评估表明前景不容乐 |
| 关 键 词： | 多孔硅 发光 铒 离子注入 半导体 硅 |
| 收稿时间： | 1994-08-22 |
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