| 新结构多晶硅发射极光电晶体管 |
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| 引用本文： | 王晓慧,李国辉.新结构多晶硅发射极光电晶体管[J].北京师范大学学报(自然科学版),1997,33(4):473-476. |
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| 作者姓名： | 王晓慧 李国辉 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 摘 要： | 报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光晶体管，用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增提高了２倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度，已研制成的这种新型结构的光电晶体管在１０Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，０．１７４μＷ的光增益达到了３８３。
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| 关 键 词： | 多晶硅 发射极 光电晶体管 隔离环 穿通型 |
A NOVEL STRUCTURE PHOTOTRANSISTOR WITH POLYCRYSTALLINE SILICON EMITTER |
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| Wang Xiaohui, Li Guohui, Yan Fengzhang.A NOVEL STRUCTURE PHOTOTRANSISTOR WITH POLYCRYSTALLINE SILICON EMITTER[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1997,33(4):473-476. |
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| Authors: | Wang Xiaohui Li Guohui Yan Fengzhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | phototransistor ploycrystalline silicon emitter punchthrough guard- ring |
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