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基于配位聚合物薄膜的电存储器件
引用本文:王鹏飞,董元伟,季欣,徐伟.基于配位聚合物薄膜的电存储器件[J].复旦学报(自然科学版),2012,51(3):322-324,334.
作者姓名:王鹏飞  董元伟  季欣  徐伟
作者单位:复旦大学材料科学系,上海,200433
摘    要:研究发现,2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)的乙醚溶液能够与铜膜发生固-液界面反应,并在铜膜表面上形成了一层配位聚合物薄膜(Cu-DMcT).研究还发现,Cu/Cu-DMcT/Al器件具有一次写入、多次读取(WORM)的电存储性能,并有很好的成品率和信息保持性能.器件的高低阻态比可以高达106.

关 键 词:配位聚合物  固液界面反应  电存储器件

A Memory Device Based on Coordinated Polymer Films
WANG Peng-fei,DONG Yuan-wei,JI Xin,XU Wei.A Memory Device Based on Coordinated Polymer Films[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2012,51(3):322-324,334.
Authors:WANG Peng-fei  DONG Yuan-wei  JI Xin  XU Wei
Institution:(Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai 200433,China)
Abstract:
Keywords:coordination polymer  liquid-solid interface reaction  electrical memory device
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