| 用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度 |
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| 引用本文： | 王松柏,张声豪. 用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度[J]. 福州大学学报(自然科学版), 2003, 31(2): 144-146 |
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| 作者姓名： | 王松柏 张声豪 |
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| 作者单位： | 1. 福州大学信息科学与技术学院,福建,福州,350002
2. 厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 福建省教育厅科研资助项目 (JB0 10 16 ) |
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| 摘 要： | 根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .
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| 关 键 词： | 半绝缘GaAs 禁带宽度EgΓ 表面光伏 |
| 文章编号： | 1000-2243(2003)02-0144-03 |
| 修稿时间： | 2002-10-16 |
The energy gap EgΓ of semi - insulating GaAs studied by the SPV method |
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| WANG Song-bai,ZHANG Sheng-hao. The energy gap EgΓ of semi - insulating GaAs studied by the SPV method[J]. Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition), 2003, 31(2): 144-146 |
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| Authors: | WANG Song-bai ZHANG Sheng-hao |
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| Affiliation: | 1. College of Information Science and Technology, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350002, China; 2. Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semi-insulating GaAs energy gap surface photovoltage |
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