等离子体腐蚀特性

等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶硅和氮化硅显示出巨大的优越性。本文深入地讨论了等离子体腐蚀机理,给出了若干等离子体腐蚀特性的实验测量结果,并给了等离子体腐蚀的最佳工作条件。