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| 偏置电场诱导的PLZST反铁电介电弛豫现象 | |
| 引用本文： | 刘鹏,张丹.偏置电场诱导的PLZST反铁电介电弛豫现象[J].科学通报,2008,53(15):1755-1758. |
| 作者姓名： | 刘鹏 张丹 |
| 作者单位： | 陕西师范大学物理学与信息技术学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号: 50572059)和教育部优秀青年教师资助计划项目(2003年) |
| 摘 要： | 在不同偏置电场和频率下测量了(Pb0.94La0.04)(Zr0.5Sn0.3Ti0.2)O3陶瓷的介电温谱, 观察到电场诱导的反铁电介电弛豫现象. 电场越大, 反铁电介电频率色散越强; 反铁电与铁电态之间的相互竞争与共存引起材料内部纳米尺度的结构无序, 这被认为是反铁电介电弛豫的物理起源. |
| 关 键 词： | 反铁电介电弛豫 偏置电场 介电性能 陶瓷 |
| 收稿时间： | 2008-03-19 |
| 修稿时间： | 2008-06-07 |
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