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| 1.3微米低阈值掩埋新月型InP-InGaAsP激光器 | |
| 引用本文： | 肖建伟,苗忠礼,衣茂斌,薄报学,马玉珍,高鼎三.1.3微米低阈值掩埋新月型InP-InGaAsP激光器[J].吉林大学学报(理学版),1987(4). |
| 作者姓名： | 肖建伟 苗忠礼 衣茂斌 薄报学 马玉珍 高鼎三 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 (肖建伟，苗忠礼，衣茂斌，薄报学，马玉珍)，吉林大学电子科学系(高鼎三) |
| 摘 要： | 我们采用二次液相外延技术,研制出1.3微米低阈值,基横模掩埋新月型InGaAsP-IaP(BC)激光器。 器件的结构见图1.先用一次外延在n~+-InP衬底上生长n-p-nInP电流限制层,然后沿011]方向开槽。器件有源区埋在从(111)p边壁V型槽底上长出的平滑的n-InP和p-InP层中,消除了通常BH激光器由于沿条型方向掩埋条边不规则造成的远场图参差 |
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