| 溶剂热法用粉体材料简单制备A2S3 (A=Sb, Bi)亚微米/纳米线 |
| |
| 引用本文： | 嵇天浩,刘冠娆,齐兴义,杨青林,邓元,郭林.溶剂热法用粉体材料简单制备A2S3 (A=Sb, Bi)亚微米/纳米线[J].科学通报,2006,51(5):519-523. |
| |
| 作者姓名： | 嵇天浩 刘冠娆 齐兴义 杨青林 邓元 郭林 |
| |
| 作者单位： | 北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 本工作为教育部留学归国基金和北京航空航天大学材料科学与工程学院优秀青年科研启动基金资助项目. |
| |
| 摘 要： | 采用溶剂热法, 用Sb2S3和Bi2S3粉体材料简单制备了A2S3 (A=Sb, Bi) 亚微米/纳米线. 反应产物的形状和大小直接受反应温度、时间和溶剂的影响. 使用乙二醇作溶剂得到的硫化锑棒要比使用乙二醇和乙二胺混合溶剂所制备的硫化锑线更粗且不均匀. 在相同的反应条件下, 使用乙二醇和乙二胺混合溶剂所制备的硫化铋亚微米线 (平均直径150 nm)比硫化锑的更细且更均匀. 反应温度降低, 得到硫化锑线所需要的反应时间更长. 当反应温度和时间分别为200℃和24 h时, 能够得到平均直径在400 nm左右的硫化锑亚微米线, 但温度降到150℃, 即便反应40 h, 也难制得全部的硫化锑线. 讨论了从硫化锑粉体到硫化锑线的形成机理.
|
| 关 键 词： | 低维结构 形貌转化 硫属化合物 半导体线 |
| 收稿时间： | 2005-09-01 |
| 修稿时间： | 2005-09-012005-11-29 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|
