白光快速退火注Si ̄+砷化镓的X射线双晶衍射谱 |
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作者姓名: | 顾宏 夏冠群 陈京一 朱南昌 沈鸿烈 周祖尧 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金和科学院离子束开放实验室资助 |
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摘 要: | 对注Si ̄+的GaAs样品(注入能量180keV、剂量5×l0 ̄(12)~10 ̄(15)cm ̄(-2)采用白光快速退火,测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射,Hall测量结果,分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比.结果表明:GaAs中Si ̄+注入掺杂,在低剂量注入时,Si的两性是影响激活率的主要原因;高剂量注入时,残留间隙Si原子的存在是导致激活率低的主要因素。
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关 键 词: | GaAs,离子注入,双晶衍射。 |
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