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| 窄禁带半导体 | |
| 引用本文： | 刘普霖.窄禁带半导体[J].自然杂志,1980(6). |
| 作者姓名： | 刘普霖 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 所谓窄禁带半导体又称作窄能隙或窄带隙半导体.禁带宽度为多大才归入这一类,并没有严格界线.现在往往把导带底与价带顶之间的能量差相当于kT的室温(T=300 K)数值(0.026电子伏)的十倍,即禁带宽度为0.26电子伏或更小的半导体叫做窄禁带半导体.倘若禁带宽度为负值,也就是说导带与价带发生了轻微的重迭,则称为半金属.在窄禁带半导体与半金属之间还有一种零能隙材料。这三者在许多方面有着共同之处. |
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