| SnO2/Sn纳米电缆的制备和表征 |
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| 引用本文： | 王冰.SnO2/Sn纳米电缆的制备和表征[J].科技导报(北京),2008,26(11). |
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| 作者姓名： | 王冰 |
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| 作者单位： | 深圳大学电子科学与技术学院深圳市微纳光子信息技术重点实验室 广东深圳518060 |
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| 基金项目： | 深圳大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | SnO_2/Sn纳米电缆通过Au-Ag合金助催的对SnO粉末的热蒸发方法,在单晶Si衬底上形成。详细的形貌及结构通过场发射扫描电镜(Field Emission Scanning Electron Microscopy,FESEM)、透射电子显微镜(Transient Electronic Microscope,TEM)、高分辨率透射电镜(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)、选区电子衍射(Selected Area Electron Diffraction,SAED)、X射线粉末衍射(X-ray Diffraction,XRD)、拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(Photo Luminescence,PL)等方式表征出来。在TEM下发现了纳米电缆被电子束辐照发生形变,并且根据纳米尺度上的热力学及动力学理论提出了造成形变的物理机制。实验表明,纳米尺度效应能够在纳米结构自组装的控制方面起到关键的作用。
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| 关 键 词： | 纳米电缆 电子束辐照 形变 |
Fabrication of the SnO2/Sn Nanocable and Its Characterization |
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| WANG Bing.Fabrication of the SnO2/Sn Nanocable and Its Characterization[J].Science & Technology Review,2008,26(11). |
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| Authors: | WANG Bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanocable electronic-beam irradiation shape transformation |
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