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| 量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响 | |
| 作者姓名： | 李芝 陈静 雷威 |
| 作者单位： | 东南大学电子科学与工程学院; |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2013CB328803,2010CB327705);国家自然科学基金资助项目(50872022,60801002,60971017,51202028,51120125001);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120092120025) |
| 摘 要： | 采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。 |
| 关 键 词： | 量子点发光二极管 量子点层厚度 发光特性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |