| 闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中电子-光学声子散射率 |
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| 引用本文： | 李永治,班士良. 闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中电子-光学声子散射率[J]. 内蒙古大学学报(自然科学版), 2010, 41(3) |
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| 作者姓名： | 李永治 班士良 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古科技大学应用物理系,内蒙古包头,014010
2. 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古自治区自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 采用介电连续模型,计及晶格应变对材料物理参数的影响,利用费米黄金定则讨论闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中四支光学声子对电子的散射.计算结果表明,该异质结中对总散射率的贡献主要来自沟道材料的体纵光学声子;考虑电子吸收声子过程时,晶格应变对总散射率有较大影响.
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| 关 键 词： | 氮化物 异质结 应变 散射率 光学声子 |
Electron-Phonon Scattering Rate in a Zinc-Blende GaxIn1-xN Strained Heterojunction |
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| LI Yong-zhi,BAN Shi-liang. Electron-Phonon Scattering Rate in a Zinc-Blende GaxIn1-xN Strained Heterojunction[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol, 2010, 41(3) |
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| Authors: | LI Yong-zhi BAN Shi-liang |
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