| 快速热处理多孔硅的蓝光发射 |
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| 引用本文： | 赵毅,杨德仁,林磊,阙端麟.快速热处理多孔硅的蓝光发射[J].科学通报,2006,51(17):2091-2093. |
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| 作者姓名： | 赵毅 杨德仁 林磊 阙端麟 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;东京大学材料系,东京,113-8656,日本
2. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 本工作得到国家自然科学基金（批准号：60225010）资助. |
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| 摘 要： | 对多孔硅样品进行了各种气氛下(氮气、氩气、氧气和空气)的快速热处理(rapid thermal process, RTP). 测试了RTP处理前和处理后多孔硅样品的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR). 在400℃以上RTP处理后的多孔硅样品的PL谱中有4个蓝光发射峰. 峰的位置不随RTP处理温度和气氛改变而变化. 由于RTP处理的氧化作用, 减小了多孔硅中纳米硅粒的尺寸, 使得PL谱中出现蓝光发射峰. 从理论计算可以估算出硅粒尺寸和发光峰位置的关系, 而且只有特定尺寸的硅粒才有可能出现, 因此 PL谱的峰的位置不随RTP温度和气氛而改变.
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| 关 键 词： | 多孔硅 蓝光发射 快速热处理 |
| 收稿时间： | 2005-11-02 |
| 修稿时间： | 2005-11-022006-05-22 |
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