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高频MOSFET并联运行及驱动特性研究
引用本文:苏娟,王华民,冷朝霞.高频MOSFET并联运行及驱动特性研究[J].西安理工大学学报,2003,19(4):352-355.
作者姓名:苏娟  王华民  冷朝霞
作者单位:西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048
基金项目:陕西省教育厅科研计划资助项目(01JK199).
摘    要:提出一种高频MOSFET驱动电路,分析研究了高频MOSFET双管并联动态开头模式下出现的不均流问题。小功率电路实验结果表明,采取两个并联MOSFET对称分布,且通过调节栅极输入电阻使两个MOSFET特性参数匹配等措施,可获得较好的均流效果,在1MHz工作频率下可实现两管同时开关。

关 键 词:高频  MOSFET  并联  驱动电路  均流
文章编号:1006-4710(2003)04-0352-04
修稿时间:2003年3月7日

Research on High Frequency MOSFETs in Parallel and It's Driving Characteristics
SU Juan,WANG Hua-min,LENG Zhao-xia.Research on High Frequency MOSFETs in Parallel and It''''s Driving Characteristics[J].Journal of Xi'an University of Technology,2003,19(4):352-355.
Authors:SU Juan  WANG Hua-min  LENG Zhao-xia
Abstract:A practical high frequency MOSFETs driving circiut is proposed in this paper, and two parallel MOSFETs operated at a high frequency produce unbalanced currents in dynamic mode is studied. The experiment indicates that the symmetrical currents can be obtained by two parallel MOSFETs laying symmetrically and adjusting the grid resistance to match the characteristic parameters of the MOSFETs, two parallel MOSFETs can simutaneously switch under 1 MHz operationg frequency.
Keywords:high frequency  MOSFET  parallel  driving circuit  balance currents
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