FETV—ICP—AES直接测定高纯二氧化硅中痕量钛 |
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引用本文: | 彭天右,秦永超.FETV—ICP—AES直接测定高纯二氧化硅中痕量钛[J].武汉大学学报(自然科学版),1997,43(4):448-452. |
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作者姓名: | 彭天右 秦永超 |
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作者单位: | 武汉大学化学系 |
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摘 要: | 以聚四氟乙烯悬浮液为氟化剂,氟化电热蒸发-ICP-AES直接分析粉末二氧化硅。在优化实验条件下,基体Si及痕量Ti均转化为氟化物,并以氟化物形式蒸发。结果表明:Y同达20g.L^-1的Si对T的分析信号的干扰可以忽略不计:SiO2的粒度高达154μm时相对蒸发率仍接近100%,对悬浮体和溶液中基体及待测元素的蒸发特性刊物了比较研究,并对石墨炉内发生的热化学反应进行了初步的探索。
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关 键 词: | 氟化电热蒸发 二氧化硅 钛 ICP-AES |
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